路透引述消息人士和相关文件指出，两家中国大陆晶片制造商正开发用于人工智慧（AI）晶片组的高频宽记忆体（HBM）晶片已取得进展，正处于生产的早期阶段。

在美国加强管制对中国大陆出口先进晶片和其他一些零组件之际，中国大陆开发HBM获致进展，即使只是较旧版本的HBM，也象征北京追求科技自给自足的最新里程碑。

知情人士表示，华为正设定目标，要和其他国内业者合作在2026年前生产HBM2晶片。科技媒体The Informatio曾在4月报导，华为引领的企业集团包括福建晋华。华为并未发表评论，福建晋华未回应路透记者的置评请求。目前还不清楚华为从哪里采购HBM。

知情人士说，中国大陆的努力目前聚焦于HBM2。

其他消息人士透露，中国大陆DRAM晶片制造商龙头长鑫存储与晶片封装测试业者通富微电，已合作开发一款HBM晶片样品，且正在向客户展示。长鑫存储和其他中国大陆晶片企业也一直在与日韩半导体设备公司定期开会，以购买HBM的开发工具。长鑫存储和通富微电未回复路透记者的置评请求。

武汉新芯也正在建设一家工厂，每月将能生产3,000片12吋HBM晶圆。企业数据库企查查（qicacha）的文件显示，这座工厂原订今年2月开工兴建。

武汉新芯及母公司都未回应路透记者的置评请求。武汉新芯已向监管机构表示有意上市，其母公司也是长江存储的母公司。长江存储表示，不具备大规模生产HBM的能力。长鑫存储和武汉新芯都是私营企业，但在中国大陆大举投资发展晶片业之际，都获得地方政府用于推动科技进步的资金支持。

HBM市场目前由南韩SK海力士和三星电子、以及美国的美光（Micron Technology）主导，都已生产最新标准的HBM3晶片，并正在努力在今年向客户推出第五代HBM或HＢM3E。

虽然美国并未限制出口HBM晶片，但HBM3晶片是使用美国技术制造，根据管制规定，华为等许多陆企都被禁止使用美国技术。

White Oak资本管理公司投资总监Nori Chou估算，中国大陆晶片制造商在HBM领域仍落后全球其他竞争对手十年，「尽管如此，（长鑫存储）与通富微电携手合作，是中国大陆的一个重要机会，能强化HBM市场内的记忆体和先进封装能力」。

长鑫存储、通富微电和华为申请的专利表明，在中国大陆开发HBM的计划至少能追溯到三年前。顾问机构Anaqua的AcclaimIP数据库显示，长鑫存储已在美国、中国大陆及台湾申请近130项专利，分别涉及与HBM晶片制造和功能相关的不同技术问题。其中14项于2022年公布，46项于2023年公布，69项于2024年公布。

4月公布的一项中国大陆专利显示，长鑫存储正在研究混合键合（hybrid bonding）等先进封装技术，以制造更强大的HBM产品。另一份文件显示，长鑫存储也在投资开发制造HBM3的所需技术。