IT之家 3 月 5 日消息，据日媒《时事通信社》消息，铠侠、SK 海力士双方正就在日生产 HBM 内存进行接洽。

IT之家注意到，上月也曾有类似消息传出，不过当时提到的合作内容是非易失性存储器，也就是 NAND 闪存。

目前，作为 AI 半导体领域的焦点之一，HBM 内存处于供不应求的状态：以 SK 海力士为例，其 HBM 产能将从 2023 年二季度的每月 3.5 万片提升至今年底 12~14 万片，但今年的 HBM 配额早已售罄。若可在日本扩充产能，有助于 SK 海力士满足市场需求。

《时事通信社》称，双方计划利用铠侠在日本北上市和四日市的现有工厂，快速实现 HBM 内存在日生产。

目前铠侠同合作伙伴西数在日本的存储半导体业务仅限 NAND 闪存品类。

不过在上个世纪，日本制造商曾一度在 DRAM 内存市场中占主导地位，但由于价格竞争力不足逐渐让位给韩美两国厂商。随着尔必达于 2012 年被美光收购，日本厂商完全退出内存市场。

《时事通信社》认为，若铠侠与 SK 海力士的 HBM 内存合作成真，日本将重新开始生产先进 DRAM 内存，成为日本半导体产业复兴的重要一步。

SK 海力士通过铠侠最大股东贝恩资本间接持有部分铠侠股份。而 SK 海力士的反对声音，被认为是去年铠侠同西部数据合并谈判破裂的决定性因素。

有消息人士向《时事通信社》表示，虽然征得 SK 海力士同意是推动下一轮铠侠同西部数据合并谈判的关键，但在 HBM 内存上的合作是独立的谈判内容。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。