（中央社记者张建中新竹18日电）高频宽记忆体（HBM）售价高，且是获利较佳的DRAM产品，吸引DRAM制造厂争相扩产，市调机构集邦科技预估，2024年底HBM产值占整体DRAM比重可望攀升至20.1%水准。

集邦科技资深研究副总经理吴雅婷表示，在相同制程及容量下，HBM的颗粒尺寸较DDR5大35%至45%，包含矽穿孔封装的HBM生产良率较低，生产周期也比DDR5长约1.5至2个月。

吴雅婷指出，HBM产品投片到产出与封装完成，需要2季以上时间。在市场需求吃紧情况下，买家2024年大部分订单已向供应商下单。

集邦观察三星（Samsung）及SK海力士（SK hynix）扩产计划最积极。吴雅婷预估，至今年底，全球HBM总产能将达月产2.5万片，约占动态随机存取记忆体（DRAM）总产能14%，位元成长260%，HBM产值占DRAM比重将自2023年的8.4%，大幅提升至2024年底的20.1%。（编辑：杨兰轩）1130318