K海力士（SK Hynix）与台积电签署合作备忘录，携手开发下一代高频记忆体（HBM）晶片，透过先进封装技术强化逻辑层与HBM的整合。路透
南韩记忆体晶片大厂SK海力士（SK Hynix）与台积电签署合作备忘录，携手开发下一代高频记忆体（HBM）晶片，透过先进封装技术强化逻辑层与HBM晶片的整合。
SK海力士发布声明表示，计划与台积电合作开发预定2026年起量产的第六代HBM晶片HBM4，将采用台积电的晶圆代工制程，提高HBM4的效能。
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SK海力士表示，双方将先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础晶片（Base Die）进行效能改善。 HBM是将多个DRAM晶片（Core Die）堆叠在基础晶片上，并透过TSV技术进行垂直连接而成。基础晶片也连接至绘图处理器（GPU），发挥控制HBM的作用。