三星计划在2025年量产2nm工艺，三星将在“VLSI Symposium 2024”上展示其2nm工艺中的第三代GAA晶体管技术特性，并在6月16日至20日期间分享更多关键细节。

新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构，具有独特的外延和集成工艺。晶体管性能提升了11%至46%，同时可变性降低26%，漏电现象减少了约50%。

三星还在加强2nm工艺生态系统的建设，已经拥有50多个合作伙伴。今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，以提高性能和效率。