集邦科技发布调查指出，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM高出数倍，比DDR5价差也约五倍，加上AI晶片相关产品迭代让HBM单机搭载容量扩大，预估到2025年前HBM在DRAM产能及产值占比都会大幅向上。预估2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，但2025年占比将超过10%。今年HBM产值将占DRAM总产值逾20%，明年年占比有机会逾三成。

集邦资深研究副总吴雅婷指出，今年第2季已开始针对明年HBM进入议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。而供应商议价时间提早于第2季发生有三大原因，其一，HBM买方对于AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨。

其二，HBM3e的TSV良率目前仅约40~60%，仍有待提升，加上并非三大原厂都已经通过HBM3e的客户验证，故HBM买方也愿意接受涨价，以锁定品质稳定的货源。其三，未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，对于供应商而言，未来平均销售单价将会因此出现差异，并进一步影响获利。

展望明年，由主要AI解决方案供应商的角度来看，HBM规格需求大幅转向HBM3e，且将会有更多12hi的产品出现，带动单晶片搭载HBM的容量提升。集邦预估今年年的HBM需求位元年成长率近200%，明年可望将再翻倍。