据 TrendForce 最新预估，第2季 DRAM 合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash 合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅 eMMC/UFS 价格涨幅较小，约10%。

403地震发生前，TrendForce 原先预估，第2季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND Flash 为13~18%，相较第1季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智慧型手机的需求尚未有复苏迹象，买方在手库存逐渐增高，又以PC OEM 为最。同时，DRAM 及 NAND Flash 至今已分别续涨2~3个季度，买方要再接受大幅涨价的意愿消退。

403震后，市场零星传出有PC OEM 供应商出于特殊考量，接受高昂的 DRAM 及 NAND Flash 合约价涨幅，但仅是零星成交案件。至4月下旬，相关业者陆续完成新一轮合约价议价后，涨幅较原先预期扩大，推动 TrendForce 同步上修第2季 DRAM、NAND Flash 合约价涨，除反映买方欲支撑在手库存的价值，关键更包含供需两端对AI市场展望的考量。

TrendForce 表示，由于原厂担忧后续有HBM产能排挤效应，以三星（Samsung）来看，HBM3e产品采用1alpha制程节点，至2024年底将占用1alpha制程产能约六成，进一步排挤 DDR5供给量，尤其以第3季HBM3e生产即将放量的时间点影响最大，经评估后买方转而愿意第2季提前备货，因应第3季起可能出现HBM供应短缺。

同时，随著节能成为AI推论伺服器（AI Inference Server）优先考量，北美云端服务业者（CSP）扩大采用 QLC Enterprise SSD 作为存储的解决方案，带动 QLC Enterprise SSD 需求，并加速部分供应商的库存去化，推动部分供应商出现惜售心态。值得注意的是，受限于消费性产品需求复苏情况不明朗，故原厂普遍对于非 HBM 晶圆产能的资本支出趋于保守，尤其是价格仍处于损益平衡点的 NAND Flash。