美商记忆体大厂美光今日宣布其采用高容量单片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 记忆体 正式验证与出货。美光 128GB DDR5 RDIMM 记忆体速度高达 5600 MT/s，适用于各种先进伺服器平台，该产品采用美光领先业界的 1β 技术，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆叠的产品，位元密度提升超过 45%，能源效率提升 22%，延迟则降低 16%。

美光表示，128GB DDR5 RDIMM记忆体已可直接供货，可于2024年6月透过全球指定通路经销商和分销商提供。

美光与业界领导业者、客户的合作，使全新高效能、大容量模组得以在大量伺服器中央处理器（CPU）中获广泛采用。这些高速记忆体模组专为满足资料中心各种关键任务应用程式的效能需求而设计，包含人工智慧（AI）、机器学习（ML）、高效能运算（HPC）、记忆体资料库（IMDBs）、高效处理多执行绪及多核心运算工作负载等。美光 128GB DDR5 RDIMM 记忆体将获超微AMD、慧与科技HPE、英特尔Intel、美超微Supermicro等强大生态系统支援。

美光副总裁暨运算产品事业群总经理 Praveen Vaidyanathan 表示，美光将向客户提供在所有主要 CPU 平台获认证的大容量 RDIMM 记忆体。AI 伺服器现在将能配置美光的两款记忆体： 24GB 8 层堆叠 HBM3E（与 GPU 相连的记忆体）和128GB RDIMM（与 CPU 相连的记忆体），以提供记忆体密集型工作负载所需的容量、频宽和功耗最佳化的基础设施。