本文来自微信公众号：半导体行业观察 （ID：icbank），作者：编辑部，题图来自：视觉中国

过去几年，在AI的推动下，英伟达挣得盘满钵满。作为英伟达GPU的主要部件HBM的供应商，SK海力士的业绩也是水涨船高。

在今年四月举办的财报说明会上，SK海力士表示，受人工智能需求推动，公司营收增速创下2010年以来最快纪录，预计内存市场将全面复苏。

数据显示，这家全球第二大内存制造商的销售额在一季度增长了144%，达到12.4万亿韩元（约合90亿美元），远远超出预期。营业利润为2.89万亿韩元（去年的亏损为2.6万亿韩元），远超预期的1.8万亿韩元利润。这也是该公司有史以来第二高的第一季度营业利润。

毫无疑问，HBM是SK海力士这波崛起的重要原因。SK海力士首席财务官Kim Woohyun也直言：“凭借HBM引领的AI内存领域业界最顶尖的技术，我们已经进入明显的复苏阶段。”

但是，三星和美光却虎视眈眈。

绝对王者

关于HBM沿革，在半导体行业观察之前的文章《HBM的逆袭好戏》中，已经有了很详细的描述，在本文我们就不再赘言。然而，我们需要重申一下SK海力士在HBM市场的绝对影响力，以及他们的HBM带给市场的影响。

据市场研究公司TrendForce称，SK海力士去年以53%的市场份额在HBM市场领先，其次是三星电子（38%）和美光（9%）。

最近，关于HBM有很多消息，但SK海力士HBM设计主管Park Myeong-Jae在最近一篇博客中表示：“SK海力士被公认为HBM市场无可争议的领导者。”他进一步指出，SK海力士于2009年开始开发HBM芯片。该公司预计高性能内存芯片的需求将会增加，并花了四年时间开发HBM，专注于硅通孔（TSV）技术。该公司于2013年12月推出了首款HBM芯片。

然而，SK海力士要在HBM上大显身手还有很长的一段路要走。因为在2010年代，计算机市场还没有成熟到可以接受当下“超出需求”的高速度、高容量的HBM产品。因此，SK海力士在第二代产品HBM2开发中遇到困难时，有许多人对HBM业务的前景表示担忧。Park Myeong-Jae副社长将该时期描述为“在危机中发现机遇的时期”。

于是，从HBM2E开始，SK海力士便以远超外界期待值为目标，并加强了团队协作。研发HBM需要将各种复杂技术巧妙结合，因此与相关团队合作解决挑战、创造协同效应尤为关键。得益于此，SK海力士取得了显著技术进步，也在MR-MUF、HKMG和Low-K IMD等主要基础技术上打下了基础。

最终，凭借HBM3压倒性的性能与特性，SK海力士赢得了较高的市场份额。

截止到现在，SK海力士是三家公司中第一家通过英伟达认证测试并成为主要供应商的公司。业内估计，SK海力士的HBM3E良率已经稳定，据报道其营业利润率是DRAM（动态随机存取存储器）的两倍。

Park Myeong-Jae介绍说：“SK海力士的HBM产品具备业界最佳的速度和性能。尤其是公司独有的MR-MUF技术，为高性能提供了最稳定的散热，为造就全球顶尖性能提供了保障。此外，SK海力士拥有快速量产优质产品的能力，对客户需求的响应速度也是首屈一指的。这些竞争优势的结合使HBM3E脱颖而出，跻身行业前列。”

正因为如此，SK海力士的HBM受到了客户的高度欢迎。

据外媒报道，SK海力士目前为亚马逊、AMD、Facebook、谷歌（Broadcom）、英特尔、微软以及英伟达等客户生产各种类型的HBM内存。而由于芯片供应商希望确保对其成功至关重要的内存堆栈的供应，因此几个月前就已下达的HBM内存订单，现在已经积压到2025年。

与此同时，美光和三星正在紧追慢赶，美光在近日更是表示，预计明年将占据HBM市场份额20%以上，这比目前的9%大幅提升。

不甘人后

作为HBM的后进者，美光科技和三星不甘人后。

首先看美光，作为HBM三强中的最后一名，他们采取了大胆的战略举措，跳过第四代高带宽内存HBM（HBM3），直接进入第五代HBM（HBM3E），旨在占据下一代HBM市场的很大份额。这一决定已经开始见效，美光获得了英伟达的订单，并开始增加供应量，最终在去年年底向英伟达全面供应HBM3E。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在日前的财报会议上表示：“强劲的AI需求和强大的执行力使美光第三财季收入环比增长17%，超出了公司的预期范围。美光在高带宽内存等高利润产品的份额不断扩大。”

“美光在第二财季开始出货HBM3E内存，并在第三财季从这些产品中获得了超过1亿美元的销售额。”Mehrotra说。他进一步指出，这些产品是盈利的。美光预计，在2024财年（仅剩一个季度），公司的HBM内存将带来数亿美元的收入，在2025财年（从2024年9月开始，一直到2025年8月）将带来数十亿美元的收入。美光2024年和2025年的HBM供应已经售罄，2024年全年和2025年大部分时间的定价已经确定。

从长远来看，美光预计其在HBM市场的份额，将在2025年左右与其在整个DRAM市场的份额大致相同。有趣的是，美光正在对其12层HBM3E堆栈进行送样，并将于2025年投入量产，并且它还计划在未来产品中采用HBM 4和HBM4E。

在HBM上备受打击的三星也重整旗鼓。

如文章开头所说，尽管三星是业内最大的内存芯片制造商，但在HBM领域，它远远落后于全球第二大内存制造商SK海力士。据韩媒五月底的报道，SK海力士一直是英伟达HBM芯片的最大供应商，英伟达控制着人工智能计算任务核心图形处理单元市场80%以上的份额。目前，这家韩国芯片制造商是英伟达第四代HBM3芯片的唯一供应商。

在HBM等领域的落后，促使三星在五月撤换了半导体领导人。拥有丰富经验的Jun Young-hyun临危受命，承担存储巨头研发和向英伟达出售HBM芯片的重任。但随后，有关三星HBM没能经过英伟达验证、三星HBM良率过低等新闻见诸报端。在六月底，有媒体报道称，英伟达要求三星更改其高带宽内存的设计，这将导致供货进一步延迟。

上述种种信息，三星都否认了。不过由此我们可以看到这家存储巨头在HBM上的挣扎。

综上所述，SK海力士在HBM市场似乎短期无忧。但在扩大HBM3E产能方面，将面临挑战。一位知情人士表示：“英伟达正在向SK海力士施压，要求其增加供应量，但随着HBM3E和上一代HBM3的投产，可用产能已接近饱和。”

现代汽车证券研究员朴俊英也表示，“如果没有SK海力士以外的另外两家公司的帮助，英伟达将无法满足自身的HBM需求。”朴俊英预测，“HBM短缺的情况将持续到今年第四季度，如果这三家公司的CAPA不被纳入全球HBM CAPA，短缺可能会延续到2025年上半年。”

为此，美光和三星迎难而上，SK海力士也以攻为守。

硝烟再起

作为领先者，SK海力士当然不愿意坐以待毙，这首先体现于公司在保证产能供给上非常努力。在日前，SK海力士宣布，根据投资计划，SK海力士到2028年将拨款103万亿韩元，其中80%（82万亿韩元）投向HBM等AI相关业务领域，以维持公司HBM的地位。

在更早的四月，SK海力士曾表示，将斥资20万亿韩元（146亿美元）在忠清北道建设生产动态随机存取存储器（DRAM）芯片的M15X晶圆厂，以满足AI芯片热潮中不断增长的需求，巩固其在高性能存储芯片领域的地位。

SK集团董事长崔泰源在六月接受日本《日本经济新闻》采访时表示，该公司正在调查在日本和美国等国家生产高带宽存储器（HBM）的可能性。“除了增加国内生产（HBM），如果需要额外投资，我们还在不断调查是否可以在日本和美国等其他国家生产。”崔泰源表示。

至于美光，据日经新闻援引消息人士报道，内存巨头美光科技正在美国建设一条先进高带宽内存（HBM）的试验生产线，并考虑首次在马来西亚生产HBM，以满足AI热潮带来的更多需求。报道称，美光公司正在美国爱达荷州博伊西市总部扩建HBM相关研发设施，包括生产和验证线。此外，美光公司还考虑在马来西亚建立HBM生产能力，目前该公司已经在马来西亚设有芯片测试和组装工厂。

此前，美光最大的HBM生产工厂位于中国台湾，扩建工作也在进行中。而业内消息显示，美光预计将在新工厂投资6000亿至8000亿日元，该工厂位于现有Fab15工厂附近。最初，新工厂将专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，重点是HBM产品。

三星也火力全开。三星公司执行副总裁兼DRAM产品技术领域负责人在今年三月曾表示，预计该公司今年的HBM芯片产量将比去年增加2.9倍。三星同时还公布了HMB路线图，预计2026年HBM出货量将达到2023年产量的13.8倍，到2028年HBM年产量将进一步上升至2023年产量的23.1倍。

来到技术方面，三巨头的竞争也白热化。

SK海力士在五月的一次行业活动中表示，它可能在2025年率先推出下一代HBM4。在那次活动中，该公司展示了一张幻灯片，其中展示了英伟达Grace Hopper GH200 GPU内封装的两个HBM3E模块（见插图）。负责该公司DRAM和NAND技术开发的SK海力士高级副总裁Ilsup Jin上个月在安特卫普ITF World上表示，该公司的下一代HBM4可能会提前上市。“HBM4很快就会面世。”Jin说。“明年就会面世。”

该公司还计划在2026年提供HBM4E。

美光则预计在2026年至2027年期间，将36GB～48GB的12-Hi～16-Hi堆栈HBM 4。据美光称，HBM4之后将在2028年推出HBM4E。HBM4的扩展版本预计将获得更高的时钟频率，并将带宽提高到2+TB/s，容量提高到每个堆栈48GB到64GB。

关于其未来的HBM路线图，三星计划在2025年生产其HBM4样品，其中大部分为16堆栈，预计在2026年实现量产。据TheElec报道，今年早些时候，三星使用其子公司Semes的混合键合设备生产了16堆栈HBM样品，并表示该样品运行正常。TheElec援引三星上个月在2024年IEEE第74届电子元件和技术会议上披露的信息，获悉三星认为混合键合对于16层及以上的HBM至关重要。

在过去，HBM更多是标准品的竞争。但从SK海力士Park Myeong-Jae的介绍中我们得知，这在未来将是一场定制化竞争。

他表示：“持续创新对于保持和提升SK海力士目前的地位至关重要。特别是我们的HBM产品线随着解决方案的定制变得多样化，与客户和代工行业的合作在未来将变得越来越重要。在这些变化中，我们的目标是稳步前进，紧跟潮流。”他补充道。

这无疑将掀起HBM在另一维度的竞争。

参考资料：

https://news.skhynix.com.cn/hbm-design-head-myeong-jae-park/

https://www.anandtech.com/show/21382/sk-hynixs-hbm-memory-supply-sold-out-through-2025

https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=220185

https://www.nextplatform.com/2024/06/27/micron-gears-up-for-its-potential-datacenter-memory-boom/

https://www.trendforce.com/news/2024/06/20/news-microns-hbm-expansion-at-full-throttle-rumored-to-expand-in-us-malaysia-also-an-option/

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