Intel 4工艺全面引入EUV极紫外光刻，能效比再提升大约20％，明年下半年投产，2023年产品上市。
再往后，Intel 3工艺进一步优化FinFET、提升EUV，能效比继续提升大约18％，还有面积优化，2023年下半年投产。
之后就是后纳米时代了，工艺命名又改了新的规则，首先是Intel 20A，拥有两项革命性技术，RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输 ... 阅读全文
再往后，Intel 3工艺进一步优化FinFET、提升EUV，能效比继续提升大约18％，还有面积优化，2023年下半年投产。
之后就是后纳米时代了，工艺命名又改了新的规则，首先是Intel 20A，拥有两项革命性技术，RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输 ... 阅读全文