本文来自微信公众号：芯谋研究（ID：icwise），作者：钟宇飞，原文标题：《连续两年投资额翻番，“看清”国内近千亿的SiC项目》，头图来自：视觉中国第三代半导体又称宽禁带半导体，禁带宽度在2.2eV 以上，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视，SiC是第三代半导体主要材料之一。
图1：2018-2021年8月宣布投资额与项目数量（制图：芯谋研究）图2：SiC项目签约/开工/投产情况（制图：芯谋研究）3.实际投产项目极为有限，实际产能开出率不高。
据芯谋研究长期跟踪研究发现，自2018年开始，碳化硅衬底及外延片宣布总产能已达479万片/年（折合4吋），已投产产能乐观估计仅为150万片（乐观估计：将部分投产或通线直接算作全额量产） ... 阅读全文
图1：2018-2021年8月宣布投资额与项目数量（制图：芯谋研究）图2：SiC项目签约/开工/投产情况（制图：芯谋研究）3.实际投产项目极为有限，实际产能开出率不高。
据芯谋研究长期跟踪研究发现，自2018年开始，碳化硅衬底及外延片宣布总产能已达479万片/年（折合4吋），已投产产能乐观估计仅为150万片（乐观估计：将部分投产或通线直接算作全额量产） ... 阅读全文
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