（中央社记者张建中新竹17日电）美国记忆体厂美光（Micron）决定因应市场环境变化，同步减产动态随机存取记忆体（DRAM）及储存型快闪记忆体（NAND Flash）约20%。法人预期，将有助于记忆体报价提早落底。

记忆体市况低迷，国内外记忆体厂纷纷减产因应，旺宏决定减产20%至25%，华邦电中科厂也将减产3至4成，铠侠（Kioxia）减少NAND Flash产出30%。

美光跟进同步减产DRAM及NAND Flash约20%，并预期2023年DRAM位元供给将自原先预期的增加5%，转为负成长；NAND Flash位元供给增幅也将自原先预期的28%，降为1%至3%。

法人表示，年终备货需求不如预期，记忆体供应商库存水位持续攀高，美光为避免产业供需过度失衡，才会决定减产。

法人指出，美光DRAM全球市占率约23%、NAND Flash市占率约12%，铠侠NAND Flash市占率约20%，估计两家厂商减产措施将影响全球DRAM供给约4%至5%，影响NAND Flash供给约8%至9%，预期将有助DRAM及NAND Flash报价提早落底。（编辑：张良知）1111117