美光宣布，LPDDR5X 行动记忆体在获高通新旗舰智慧型手机晶片绕龙（Snapdragon） 8 Gen 2 纳入主架构设计后，目前这款记忆体已量产出货，将有助于第一款内建 LPDDR5X 的手机达到最高速度。

美光，表示，最新推出的 LPDDR5X 专为高阶及旗舰智慧型手机打造，峰值传输率达 8.533Gbps，不仅比前一代产品 LPDDR5 提升 33%[1]，也比去年秋天所支援的 7.5 Gbps 传输率更能满足高频宽、高数据量用途对高性能行动记忆体的需求。

美光资深副总裁暨行动事业部总经理Raj Talluri表示，如今智慧型手机能实现 5G、AI 等技术，且能存取大量数据，超高速行动记忆体的功劳不容小觑，可说是手机创新的幕后英雄。目前美光最高速的 LPPDR5X 已量产并在全球舖货，将带动行动生态系研发新一代装置以及各类超乎想像的应用。

美光于去年11月，领先推出 1α（1-alpha）制程制作出最快、最先进的行动记忆体 LPDDR5X 并送样认证，继先前推出业界第一款 LPDDR5、1α制程LPDDR4X、176 层 NAND 行动 UFS 3.1 和 uMCP5 解决方案之后又下一城。美光将持续推动市场加快采用 LPDDR5X，巩固自身产品创新能力及行动生态系领导地位。

高通产品管理副总裁 Ziad Asghar 指出：「要想达到 Snapdragon 8 Gen 2 所标榜的光速上网、动态体验以及划时代效能，性能强悍的高速记忆体不可或缺。美光 LPDDR5X 记忆体可达 8.5 Gbps，前所未有的超高速率及能源效率，正能满足高通晶片组所需。

美光针对下一波智慧型手机5G及AI体验浪潮，打造行动记忆及储存方案，满足容量及运算能力需求的同时，也兼顾尺寸限制、成本效益及能源效率，而与全球智慧型手机及晶片组业者深入合作，更有助于美光将自身的低功率高性能解决方案、广博的技术专业、致力创新的精神带到整个行动生态系，帮助提供更佳体验。