研调机构集邦（TrendForce）资深研究副总吴雅婷13日表示，美国晶片大厂辉达（NVIDIA）旗下最新AI晶片，主要搭载之记忆存储零件为高频记忆体「HBM3E」，而SK海力士则是其最主要供应商，对此，三星、美光（Micron）也各自开发有关产品，预计下半年有望正式加入供应行列。

吴雅婷表示，目前今 (2024) 年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过，由于AI需求高涨，目前辉达以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。

吴雅婷表示，目前NVIDIA现有主攻H100的记忆体解决方案为HBM3，SK海力士是最主要供应商，导致供应不足以应付整体AI市场所需。至2023年末，三星以1Znm产品加入NVIDIA供应链，尽管比重仍小，但可视为三星于HBM3世代的首要斩获。

吴雅婷透露，由于三星是AMD（超微）长期以来最重要的策略供应伙伴，2024年第1季，三星HBM3产品也陆续通过AMD MI300系列验证，其中包含其8h与12h产品，故自2024年第1季以后，三星HBM3产品将会逐渐放量。

值得注意的是，过去在HBM3世代的产品竞争中，美光始终没有加入供应行列，仅有两大韩系供应商独撑，且SK海力士HBM市占率目前为最高，三星将随著后续数个季度MI300逐季放量，市占率将急起直追。

而自2024年起，市场关注焦点即由HBM3转向HBM3e，预计下半年将逐季放量，并逐步成为HBM市场主流。据TrendForce调查，第1季由SK海力士率先通过验证，美光紧跟其后，并于第1季底开始递交HBM3e量产产品，以搭配计划在第2季末铺货的NVIDIA H200。

并且三星由于递交样品的时程较其他两家供应商略晚，预计其HBM3e将于第1季末前通过验证，并于第2季开始正式出货。由于三星HBM3的验证已经有了突破，且HBM3e的验证若无意外也即将完成，意即该公司的出货市占于今年末将与SK海力士拉近差距。