据最近的一些研究结果显示，任天堂 Switch 2 可能会采用三星第五代 V-NAND，这将是一项相较于其前代产品的重大进步。根据Doctre81在 YouTube 上分享的一段新视频报道，一位曾在三星电子设备解决方案部门担任高级总监直至2019年的前员工在其LinkedIn页面列出了他的主要资历和职责，其中包括领导开发了一款用于未指定任天堂游戏卡带的 NAND 闪存控制器设备。

在该前员工的主要成就中，他还提到了由三星存储器第五代 V-NAND 闪存驱动的安全增强型 eMMC 卡的开发，这似乎与用于未指定任天堂游戏卡带的 NAND 闪存控制器设备相吻合，同时也与其他一些信息相符，例如创新的未指定专有硬件安全性和设计新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。

尽管任天堂 Switch 2 需要比上一代产品具有更快的读取速度并不令人惊讶，但采用三星第五代 V-NAND 仍然是一个好消息。虽然以今天的标准来看，这已经有些过时，因为三星正在开发第九代和第十代 V-NAND，后者计划于2025年发布。然而，第五代产品的速度高达1.4 GB/s 对于任天堂的游戏来说应该是绰绰有余的，至少比前一代产品有了很大的提升。

关于任天堂 Switch 2 的细节目前人们所知甚少，只知道它将再次采用 NVIDIA 硬件。据称，T239 芯片将支持英伟达 DLSS 和光线重构等功能。