研调机构集邦（TrendForce）资深研究副总吴雅婷指出，受惠HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，较DDR5价差达五倍，加上AI晶片产品迭代促使HBM单机搭载容量扩大，促使去年至明年HBM之于DRAM产能及产值占比均成长。产能去年至今年HBM占DRAM总产能、分别2%及5%，至明年占比预估将超过10%。而产值今年HBM之于DRAM总产值预估最高逾20%，至明年占比有机会逾三成。

2024年HBM需求位元年成长率近200% 2025年将再翻倍

吴雅婷指出，今年第2季已开始针对2025年HBM进入议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。而供应商议价时间提早于第2季发生有三大原因，其一，HBM买方对于AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨。

其二，HBM3e的TSV良率目前仅约40~60%，仍有待提升，加上并非三大原厂都已经通过HBM3e的客户验证，故HBM买方也愿意接受涨价，以锁定品质稳定的货源。其三，未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，对于供应商而言，未来平均销售单价将会因此出现差异，并进一步影响获利。

展望2025年，由主要AI解决方案供应商的角度来看，HBM规格需求大幅转向HBM3e，且将会有更多12hi的产品出现，带动单晶片搭载HBM的容量提升。根据TrendForce预估，2024年的HBM需求位元年成长率近200%，2025年可望将再翻倍。