研调机构集邦科技（TrendForce）资深研究副总吴雅婷表示，受惠于 HBM 销售单价较传统型 DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较 DDR5价差大约五倍，加上AI晶片相关产品迭代也促使 HBM 单机搭载容量扩大，促使2023～2025年间 HBM 之于 DRAM 产能及产值占比均大幅向上。

产能方面，2023~2024年 HBM 占 DRAM 总产能分别是2％及5％，至2025年占比预估将超过10％。产值方面，2024年起 HBM 之于 DRAM 总产值预估可逾20％，至2025年占比有机会逾三成。

吴雅婷指出，今年第2季已开始针对2025年 HBM 进入议价，不过受限于 DRAM 总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5～10％，包含 HBM2e，HBM3与 HBM3e。而供应商议价时间提早于第2季发生有三大原因，其一，HBM 买方对于AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨。

其二，HBM3e的 TSV 良率目前仅约40～60％，仍有待提升，加上并非三大原厂都已经通过 HBM3e 的客户验证，故 HBM 买方也愿意接受涨价，以锁定品质稳定的货源。其三，未来 HBM 每Gb单价可能因 DRAM 供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，对于供应商而言，未来平均销售单价将会因此出现差异，并进一步影响获利。

展望2025年，由主要AI解决方案供应商的角度来看，HBM 规格需求大幅转向HBM3e，且将会有更多12hi的产品出现，带动单晶片搭载 HBM 的容量提升。根据集邦科技预估，2024年的 HBM 需求位元年成长率近200％，2025年可望将再翻倍。