（中央社记者张建中新竹6日电）市调机构集邦科技预期，高频宽记忆体（HBM）位元需求可望高度成长，今年将增加近200%，2025年再进一步倍增，HBM产值占动态随机存取记忆体（DRAM）比重有机会突破3成。

集邦科技今天发布新闻稿，说明HBM最新市况，资深研究副总经理吴雅婷指出，HBM销售单价较传统DRAM高出数倍，与DDR5规格DRAM价差约5倍。

吴雅婷表示，随著AI晶片新产品不断推出，HBM单机搭载容量扩增，HBM产能及产值占DRAM比重向上攀升。

集邦科技预估，2024年HBM位元需求年增近200%，2025年可望再倍增。2024年HBM产能占DRAM比重约5%，2025年将逾10%。2024年HBM产值占DRAM比重将超过20%，2025年有机会进一步突破3成。

吴雅婷说，因产能受限，HBM供应商提早于今年第2季开始针对2025年展开议价，初步涨价5%至10%，买方对于AI需求展望具高度信心，愿意接受涨价。（编辑：张均懋）1130506