Twitter @日经中文网 ( ) • 2021-11-30 08:51
【日本开发半导体碳化硅缺陷大降的技术】碳化硅(SiC)是功率半导体最合适的材料,与现在的主流半导体基板硅基板相比,节能性能更高。新的方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一,提高了半导体生产的成品率…… https://cn.nikkei.com/industry/scienceatechnology/46837-2021-11-30-05-00-20.html