美光科技宣布，最先进记忆体LPDDR5X 行动记忆体已获高通Snapdragon 8 Gen 2纳入参考设计；美光表示，此款记忆体已量产出货，将有助于第一款内建LPDDR5X的手机达到最高速度。

美光指出，Snapdragon 8 Gen 2为高通公司针对旗舰级手机所推出的最新行动平台，参考设计主要用途是供品牌业者展示此晶片组在设计智慧型手机时的各项优点，LPDDR5X也整合在高通Snapdragon 8 Gen 2参考设计中，成为主要架构的一环。

美光强调，最新推出的LPDDR5X专为高阶及旗舰智慧型手机打造，峰值传输率达8.533Gbps，不仅比前一代产品 LPDDR5提升 33%，也比去年秋天所支援的7.5 Gbps传输率更能满足高频宽、高数据量用途对高性能行动记忆体的需求。

美光资深副总裁暨行动事业部总经理Raj Talluri表示，「如今智慧型手机能实现5G、AI等技术，且能存取大量数据，超高速行动记忆体的功劳不容小觑，可说是手机创新的幕后英雄。目前美光最高速的LPPDR5X已量产并在全球舖货，将带动行动生态系研发新一代装置及各类超乎想像的应用。」

美光表示，在去年11月领先半导体业，运用其率先面市的1α（1-alpha）制程制作出最快、最先进的行动记忆体 LPDDR5X并送样认证，继先前推出业界第一款LPDDR5、1α制程LPDDR4X、176层NAND行动UFS 3.1和uMCP5解决方案之后又下一城；美光强调，将持续推动市场加快采用LPDDR5X，巩固自身产品创新能力及行动生态系领导地位。